همکاری سامسونگ و سان میکروسیستمز برای ساخت حافظه‌های فلش جدید - سخت افزار - اخبار

همکاری سامسونگ و سان میکروسیستمز برای ساخت حافظه‌های فلش جدید

دسته : سخت افزار در تاريخ ۱۳۸۷/۴/۳۰ ۴:۳۶:۳۴ (875 بار خوانده شده)
در اطلاعیه مشترکی که از جانب این دو شرکت منتشر شده آمده است حافظه‌های NAND جدید که از نوع SLC می‌باشد از نظر تعداد دفعات نوشتن و خواندن، پنج برابر بیشتر از SLCهای استاندارد عمر می‌کنند.



سامسونگ با همکاری سان میکروسیستمز کار بر روی ساخت نوعی سلول تک سطحی فلش مموری NAND مخصوص استفاده در درایوهای حالت جامد را آغاز نمود.
در اطلاعیه مشترکی که از جانب این دو شرکت منتشر شده آمده است حافظه‌های NAND جدید که از نوع SLC می‌باشد از نظر تعداد دفعات نوشتن و خواندن، پنج برابر بیشتر از SLCهای استاندارد عمر می‌کنند.
این حافظه‌ها برای بکارگیری در درایوهای SSD طراحی می‌شوند و قابلیت کار در ابزارهایی که اطلاعات را در حجم وسیعی بر روی درایو نوشته و از روی آن می‌خوانند، دارا می‌باشد.
سامسونگ و سان میکروسیستمر این فناوری را با هدف بکارگیری در سیستم‌های حساسی مانند سرورها که باید بطور شبانه‌روزی به کار خود ادامه دهند، طراحی می‌نمایند.
نرم‌افزارها و برنامه‌هایی که احتمالاً بیشترین بهره را از این حافظه‌ها خواهند برد شامل برنامه‌های ویدیوی جریانی، نرم‌افزارهای پردازش اطلاعات با تراکنش بالا، موتورهای جست‌وجو و دیگر عملیات پرسرعت بر روی سرورها می‌باشند.